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基于GaN器件的双向直流变换器

选择双源全桥拓扑,放电模式最高效率为95.26%,充电模式最高效率95.14%,功率密度:39W/in3,完成CCS程序编写和硬件设计及调试,利用实验平台进行了双向充放电实验。其中创新亮点如下:
1. 使用三重移相控制下DAB变换器全局优化闭环控制方法,基于DAB原边全桥内部移相比,副边全桥内部移相比,原副边之间移相比三个控制量,使DAB在不同运行工况下,通过闭环控制,自动实现全局优化运行,提高DAB运行效率。
2. 优化了变压器匝比和漏感设计,使变换器在保证宽输出范围的同时,保证变换器高压侧全范围软开关工作和高效。
3. 使用合理的软起动策略,变换器启动时大部分阶段保证器件软开关,提高变换器可靠性。

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  • tandongchao0524

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    2020-05-20

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